书目详细信息
： 宽禁带半导体功率器件:材料、物理、设计及应用
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-73693-6:CNY149.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 宽禁带半导体功率器件/.(美)贾扬·巴利加(B. Jayant Baliga)等著/.杨兵译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024 |
| 载体形态项： | 331页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
| 丛编项： | 微电子与集成电路先进技术丛书 |
| 一般附注： | CMP BOOKS ELSEVIER |
| 提要文摘： | 本书讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 |
| 并列题名： | Wide bandgap semiconductor power devices eng |
| 题名主题： | 禁带 半导体器件 研究 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 巴利加 (美) (Baliga, B. Jayant) 著 |
| 个人名称次要： | 杨兵 译 |
| 记录来源： | CN LLBF 20241130 |