ISBN/价格: | 978-7-111-72774-3:CNY79.00 |
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作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 功率半导体器件/.关艳霞[等]编著 |
出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2023 |
载体形态项: | 237页:;+图:;+26cm |
丛编项: | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
一般附注: | 机工电子 |
提要文摘: | 本书包括4部分。第1部分介绍功率半导体器件的分类及发展历程。第2部分介绍功率二极管,在传统的功率二极管(肖特基二极管和PiN二极管)的基础上,增加了JBS二极管和MPS二极管等新型单、双极型二极管的内容。第3部分介绍功率开关器件,分为传统开关器件和现代开关器件,传统开关器件以晶闸管为主,在此基础上,介绍以GTO晶闸管为主的派生器件;现代功率开关器件以功率MOSFET和IGBT为主。第4部分为功率半导体器件应用综述,以脉冲宽度调制(PWM)为例说明如何根据器件的额定电压和电路的开关频率选择适合应用的最佳器件。 |
题名主题: | 功率半导体器件 |
中图分类: | TN303 |
个人名称等同: | 关艳霞 编著 |
记录来源: | CN 91MARC 20230728 |