书目详细信息
： 晶体生长中输运现象及晶体缺陷
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-061162-8:CNY168.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 晶体生长中输运现象及晶体缺陷/.方海生，刘胜著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2019.06 |
| 载体形态项： | 12,351页:;+图:;+25cm |
| 提要文摘： | 本书主要介绍了晶体生长技术及相关晶体缺陷，结合计算流体力学数值模拟和实验研究，系统的从热流体输运、化学反应等方面阐明了晶体生长技术的要点和优化方法。为了读者更系统的了解晶体缺陷的理论和研究方法，本书也详细介绍了分子动力学和第一性原理的研究策略，并应用于晶体缺陷的研究。本书的研究涵盖了宏观和微观的研究方法和理论，把传统的工程热物理理论知识应用到国际前沿领域的研究中，促进了传统学科的发展。 |
| 并列题名： | Transport phenomena during crystal growth and crystal defects eng |
| 题名主题： | 晶体生长 输运过程 |
| 题名主题： | 晶体缺陷 |
| 中图分类： | O78 |
| 中图分类： | O77 |
| 个人名称等同： | 方海生 著 |
| 个人名称等同： | 刘胜 著 |
| 记录来源： | CN CDT 20190701 |