书目详细信息
： 应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5114-5793-6:CNY68.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术/.郝敏如著 |
| 出版发行项： | 北京:,中国石化出版社:,2020.05 |
| 载体形态项： | 192页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书首先阐述应变Si技术的优势，研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制，详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理；其次，建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系，及栅隧穿及热载流子栅电流模型；最后，研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究，并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。 |
| 题名主题： | 应变 硅 纳米材料 微电子技术 电子器件 辐射 |
| 题名主题： | 应变 硅 纳米材料 微电子技术 电子器件 加固 |
| 中图分类： | TN4 |
| 个人名称等同： | 郝敏如 著 |
| 记录来源： | CN CDT 20200730 |