书目详细信息
： CMOS射频集成电路设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-47453-8:CNY159.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | CMOS射频集成电路设计/.(美)Thomas H. Lee著/.余志平，周润德等译 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2024 |
| 载体形态项： | 19,595页:;+图:;+26cm |
| 提要文摘： | 国外电子与通信教材系列 |
| 提要文摘： | 本书首先介绍了无线电发展历史和无线通信原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；说明了现代高频宽带放大器的设计方法，讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器(LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率合成器，书中对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性(包括振荡电路中的相位噪声)进行了探讨，最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。 |
| 并列题名： | The design of CMOS radio-frequency integrated circuits eng |
| 题名主题： | CMOS电路 电路设计 |
| 中图分类： | TN432 |
| 个人名称等同： | 李 (美) (Lee, Thomas H.) 著 |
| 个人名称次要： | 余志平 译 |
| 个人名称次要： | 周润德 译 |
| 记录来源： | CN LLBF 20241128 |