书目详细信息
： 先进的高压大功率器件:原理、特性和应用
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-49307-5:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 先进的高压大功率器件/.(美) B. Jayant Baliga著/.于坤山 ... [等] 译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2015 |
| 载体形态项： | 442页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 国际电气工程先进技术译丛 |
| 提要文摘： | 本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断，并可利用IGBT加工工艺来制造。这种器件具有良好的安全工作区。最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。 |
| 题名主题： | 大功率 功率半导体器件 |
| 中图分类： | TN30 |
| 个人名称等同： | 巴利加 著 |
| 个人名称次要： | 于坤山 译 |
| 个人名称次要： | 金锐 译 |
| 个人名称次要： | 杨霏 译 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20150519 |