书目详细信息
： 功率半导体器件基础:英文版
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-034340-6:CNY150.00 |
|---|---|
| 作品语种： | eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 功率半导体器件基础/.(美)B. Jayant Baliga著 |
| 版本项： | 影印版 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2012 |
| 载体形态项： | 17,1065页:;+24cm |
| 一般附注： | 国外信息科学与技术优秀图书系列 半导体科学与技术 |
| 提要文摘： | 本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 |
| 并列题名： | Fundamentals of power semiconductor devices eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 英文 |
| 中图分类： | TN30 |
| 个人名称等同： | 巴利伽 (美) (Baliga, B. Jayant) 著 |
| 记录来源： | CN TSG 20140121 |