书目详细信息
： CMOS集成电路闩锁效应
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-64587-0:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | CMOS集成电路闩锁效应/.温德通编著 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2020.03 |
| 载体形态项： | xvi, 230页:;+图 (部分彩图):;+25cm |
| 丛编项： | IC工程师精英课堂 |
| 提要文摘： | 本书通过具体案例和大量彩色图片, 对CMOS集成电路设计与制造中存在的闩锁效应 (Latch-up) 问题进行了详细介绍与分析。在介绍了CMOS集成电路寄生效应的基础上, 先后对闩锁效应的原理、触发方式、测试方法、定性分析、改善措施和设计规则进行了详细讲解, 随后给出了工程实例分析和寄生器件的ESD应用, 为读者提供了一套理论与工程实践相结合的闩锁效应测试和改善方法。 |
| 题名主题： | CMOS电路 静电防护 电路设计 |
| 中图分类： | TN432 |
| 个人名称等同： | 温德通 编著 |
| 记录来源： | CN CDT 20210414 |