书目详细信息
： 宇航MOSFET器件单粒子辐射加固技术与实践
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5767-0541-6:CNY98.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 230000 |
| 题名责任者项： | 宇航MOSFET器件单粒子辐射加固技术与实践/.付晓君[等]编著 |
| 出版发行项： | 哈尔滨:,哈尔滨工业大学出版社:,2023 |
| 载体形态项： | 250页:;+图:;+24cm |
| 一般附注： | 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作 |
| 提要文摘： | 本书共6章，主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型、宇航MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术、宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验，并以一款宇航VDMOS器件为实例，详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节，最后介绍宇航MOSFET器件的应用及发展趋势。 |
| 并列题名： | Single event effect hardening technique and practice on aerospace power mosfets eng |
| 题名主题： | 功率MOSFET 辐射防护 研究 |
| 中图分类： | TN323 |
| 个人名称等同： | 付晓君 编著 |